- 手机:181-4585-5552
- 电话:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 邮箱:alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址:深圳市龙华区民治街道民治社区金华大厦1504
功率模块NTHL019N60S5F
发布时间:2022-03-15 16:07:32 点击量:
型号: NTHL019N60S5F
分立器件和功率模块
350vip8888新葡的京集团的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案,包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 。SUPERFET是安森美半导体全新的高压超结 MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进的技术经过量身定制,可最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常适合各种功率系统,以实现小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
on是安森美半导体全新的高压超结,MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进的技术经过量身定制,可最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET非常适合各种功率系统,以实现小型化和更高的效率。SUPERFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
特性 优势
超低栅极电荷(典型值 Qg= 252 nC)
更低的开关损耗
低时间相关输出电容(典型值.Coss(tr.)= 3174 pF)
更低的开关损耗
优化电容
较低的峰值 Vd 和较低的 Vgs 振荡
出色的体二极管性能(低 Q 值)rr,坚固的体二极管)
在有限责任公司和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
650 V @ TJ= 150 °C
类型。RDS(on)= 15.2 mΩ
100%雪崩测试
这些器件无铅、无卤素/无 BFR,并且符合 RoHS 标准
内部栅极电阻:3.5 Ω
350vip8888新葡的京集团作为深圳on一级代理商,承诺原装正品,假一赔十。
因ic芯片的型号和封装种类繁多,产品没有一 一上传,
如找不到你想要的产品,请联系在线客服咨询或电话联系。谢谢!
推荐产品 MORE+
推荐新闻 MORE+
- 中国集成电路出口开年激增69% 释放强劲复苏信号2026-04-13
- 极氪007 GT版或迎天价 DDR5与电池成本成背后推手2026-04-10
- 意法半导体战略飞跃 硅光子技术赋能AI基础设施的黄金时代2026-04-09
- 比亚迪的加拿大棋局 放弃美国还是剑指美国?2026-04-08
- 意法半导体战略性收购恩智浦MEMS业务 巩固传感器市场领导地位2026-04-07
- 75亿美元的豪赌 TI为何执意吞下芯科实验室?2026-04-03

